AIKW50N65RF5英飞凌功率器件汽车芯片参数

用于e-Mobility应用的THD封装中的混合功率分立和SiC功率技术

冷却SiC™ 肖特基二极管可为车载充电器、PFC、DC-DC和DC-AC等快速切换汽车应用提供经济高效的性能提升。

一流的快速开关IGBT与非常可靠的SiC二极管的结合为硬开关拓扑结构建立了完美的性价比权衡。由于无Qrr单极CoolSiC™ 肖特基二极管，IGBT的Eon将比纯硅解决方案显著降低。这使得混合动力成为系统成本敏感的硬换向应用的首选，例如汽车车载充电器应用中的图腾柱拓扑。这为活动中的低复杂性设计带来了更好的裕度。

特征描述

650V挖沟机™ 5 IGBT+CoolSiC™ 肖特基二极管Gen5

最佳开关和传导损耗

无反向和正向恢复费用

高工作温度：Tj，最大值=175°C

抗浪涌电流

低栅极电荷Qg从15A到50A

优势

环境条件下的最高可靠性

提高系统效率

硬交换拓扑的最佳性能/成本比（例如图腾柱）

支持双向车载充电器设计