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NTS4001NT1G分立半导体产品晶体管-技术资料

技术参数品牌:ON/安森美型号:NTS4001NT1G封装:SOT323批号:22+数量:60000制造商:ON Semiconductor产品种类:MOSFETRoHS:是安装风格:SMD/SMT封装 / 箱体:SC-70-3通道数量:1 Channel晶体管极性:N-ChannelVds-漏源极击穿电压:30 VId-连续漏极电流:270 mARds On-漏源导通电阻:1.5 OhmsVgs...

NTS4001NT1G.png

技术参数

品牌:ON/安森美
型号:NTS4001NT1G
封装:SOT323
批号:22+
数量:60000
制造商:ON Semiconductor
产品种类:MOSFET
RoHS:
安装风格:SMD/SMT
封装 / 箱体:SC-70-3
通道数量:1 Channel
晶体管极性:N-Channel
Vds-漏源极击穿电压:30 V
Id-连续漏极电流:270 mA
Rds On-漏源导通电阻:1.5 Ohms
Vgs - 栅极-源极电压:4 V
Vgs th-栅源极阈值电压:800 mV
Qg-栅极电荷:0.9 ns
最小工作温度:- 55 C
最大工作温度:+ 150 C
Pd-功率耗散:330 mW (1/3 W)
配置:Single
通道模式:Enhancement
高度:0.85 mm
长度:2.1 mm
系列:NTS4001N
晶体管类型:1 N-Channel
宽度:1.24 mm
正向跨导 - 最小值:80 mS
下降时间:82 ns
上升时间:23 ns
典型关闭延迟时间:94 ns
典型接通延迟时间:17 ns
单位重量:6.200 mg

特征

•用于快速切换的低栅极电荷

•占地面积小−比TSOP−6小30%

•ESD保护门

•AEC−Q101合格且具备PPAP能力−NVS4001N

•这些设备不含铅,符合RoHS标准

应用

•低侧负载开关

•锂离子电池供电设备-手机、PDA、DSC

•降压转换器

•电平转换超过最大额定值的应力可能会损坏设备。最大限度评级仅为压力评级。高于推荐值的功能操作操作条件并不隐含。长期暴露于高于推荐的操作条件可能会影响设备的可靠性。

1.表面安装在FR4板上,使用1平方英寸的焊盘尺寸(Cu面积=1.127平方英寸[1盎司],包括迹线)。

2.脉冲测试:脉冲宽度≤300 s,占空比≤2%。

3.开关特性与工作结温度无关。