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IPD90N04S4-03英飞凌汽车芯片中文参数

技术参数品牌:INFINEON型号:IPD90N04S4-03封装:TO-252批号:22+数量:28000制造商:Infineon产品种类:MOSFETRoHS:是安装风格:SMD/SMT封装 / 箱体:TO-252-3通道数量:1 Channel晶体管极性:N-ChannelVds-漏源极击穿电压:40 VId-连续漏极电流:90 ARds On-漏源导通电阻:2.7 mOhmsVgs - 栅...

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技术参数

品牌:INFINEON
型号:IPD90N04S4-03
封装:TO-252
批号:22+
数量:28000
制造商:Infineon
产品种类:MOSFET
RoHS:
安装风格:SMD/SMT
封装 / 箱体:TO-252-3
通道数量:1 Channel
晶体管极性:N-Channel
Vds-漏源极击穿电压:40 V
Id-连续漏极电流:90 A
Rds On-漏源导通电阻:2.7 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压:20 V
Vgs th-栅源极阈值电压:2 V
Qg-栅极电荷:66 nC
最小工作温度:- 55 C
最大工作温度:+ 175 C
Pd-功率耗散:94 W
配置:Single
通道模式:Enhancement
资格:AEC-Q101
高度:2.3 mm
长度:6.5 mm
系列:OptiMOS-T2
晶体管类型:1 N-Channel
宽度:6.22 mm
下降时间:15 ns
上升时间:11 ns
典型关闭延迟时间:14 ns
典型接通延迟时间:14 ns
零件号别名:IPD90N04S403ATMA1 SP000671630 IPD9N4S43XT IPD90N04S403ATMA1
单位重量:4 g

特征描述

  • N 通道 - 增强模式
  • 通过汽车 AEC 101 认证
  • MSL1 峰值回流温度高达 260°C
  • 175°C 的工作温度
  • 环保封装(符合 RoHS)
  • 100% 经过雪崩测试

优势

  • 低开关功耗和传导功率损耗,造就极高的热效率
  • 稳固的封装,出色的品质,高可靠性
  • 优化极栅电荷总量,实现更小的驱动器输出级

潜在应用

  • OptiMOS-T 40V 适用于轻负载控制开关(三相和 H 桥电机、电动泵等,特别适合与 PWM 控制结合使用)。
  • 车身应用