技术参数
品牌: | INFINEON |
型号: | IPD90N04S4-03 |
封装: | TO-252 |
批号: | 22+ |
数量: | 28000 |
制造商: | Infineon |
产品种类: | MOSFET |
RoHS: | 是 |
安装风格: | SMD/SMT |
封装 / 箱体: | TO-252-3 |
通道数量: | 1 Channel |
晶体管极性: | N-Channel |
Vds-漏源极击穿电压: | 40 V |
Id-连续漏极电流: | 90 A |
Rds On-漏源导通电阻: | 2.7 mOhms |
Vgs - 栅极-源极电压: | 20 V |
Vgs th-栅源极阈值电压: | 2 V |
Qg-栅极电荷: | 66 nC |
最小工作温度: | - 55 C |
最大工作温度: | + 175 C |
Pd-功率耗散: | 94 W |
配置: | Single |
通道模式: | Enhancement |
资格: | AEC-Q101 |
高度: | 2.3 mm |
长度: | 6.5 mm |
系列: | OptiMOS-T2 |
晶体管类型: | 1 N-Channel |
宽度: | 6.22 mm |
下降时间: | 15 ns |
上升时间: | 11 ns |
典型关闭延迟时间: | 14 ns |
典型接通延迟时间: | 14 ns |
零件号别名: | IPD90N04S403ATMA1 SP000671630 IPD9N4S43XT IPD90N04S403ATMA1 |
单位重量: | 4 g |
特征描述
- N 通道 - 增强模式
- 通过汽车 AEC 101 认证
- MSL1 峰值回流温度高达 260°C
- 175°C 的工作温度
- 环保封装(符合 RoHS)
- 100% 经过雪崩测试
优势
- 低开关功耗和传导功率损耗,造就极高的热效率
- 稳固的封装,出色的品质,高可靠性
- 优化极栅电荷总量,实现更小的驱动器输出级
潜在应用
- OptiMOS-T 40V 适用于轻负载控制开关(三相和 H 桥电机、电动泵等,特别适合与 PWM 控制结合使用)。
- 车身应用