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NVJS4151PT1G电子管场效应管-技术资料

技术参数品牌:ON/安森美型号:NVJS4151PT1G封装:SC70-6批号:2019+PB数量:3000制造商:ON Semiconductor产品种类:MOSFETRoHS:是安装风格:SMD/SMT封装 / 箱体:SOT-363-6通道数量:1 Channel晶体管极性:P-ChannelVds-漏源极击穿电压:20 VId-连续漏极电流:3.2 ARds On-漏源导通电阻:55 mOh...

NVJS4151PT1G.png

技术参数

品牌:ON/安森美
型号:NVJS4151PT1G
封装:SC70-6
批号:2019+PB
数量:3000
制造商:ON Semiconductor
产品种类:MOSFET
RoHS:
安装风格:SMD/SMT
封装 / 箱体:SOT-363-6
通道数量:1 Channel
晶体管极性:P-Channel
Vds-漏源极击穿电压:20 V
Id-连续漏极电流:3.2 A
Rds On-漏源导通电阻:55 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压:12 V
Vgs th-栅源极阈值电压:1.2 V
Qg-栅极电荷:10 nC
最小工作温度:- 55 C
最大工作温度:+ 150 C
Pd-功率耗散:1.2 W
配置:Single
通道模式:Enhancement
资格:AEC-Q101
晶体管类型:1 P-Channel
正向跨导 - 最小值:12 S
下降时间:4.2 us
上升时间:1.7 us
典型关闭延迟时间:2.7 us
典型接通延迟时间:850 ns
单位重量:7.500 mg

特征:

  • 领先的低RDS(ON)沟槽技术,延长电池寿命

  • SC−88小型外形(2x2 mm),用于最大电路板利用率,与SC−70−6相同

  • 用于ESD保护的栅极二极管

  • AEC−Q101合格且具备PPAP能力

  • 这些设备不含Pb−、无卤素/BFR,并且符合RoHS顺从的

应用:

  • 高侧负载开关

  • 手机、计算机、数码相机、MP3和PDA