FDD8447L分立半导体产品 晶体管行业资讯
技术参数品牌：ON 安森美型号：FDD8447L封装：TO252批号：20+数量：22500类别：分立半导体产品 晶体管 - FET，MOSFET - 单个制造商：onsemi系列：PowerTrench®FET 类型：N 通道漏源电压（Vdss）：40 V25C 时电流 - 连续漏极 (Id)：15.2A（Ta），50A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V...
技术参数
| 品牌： | ON 安森美 |
| 型号： | FDD8447L |
| 封装： | TO252 |
| 批号： | 20+ |
| 数量： | 22500 |
| 类别： | 分立半导体产品 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 |
| 制造商： | onsemi |
| 系列： | PowerTrench® |
| FET 类型： | N 通道 |
| 漏源电压（Vdss）： | 40 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： | 15.2A（Ta），50A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： | 4.5V，10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： | 8.5 毫欧 @ 14A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： | 3V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： | 52 nC @ 10 V |
| Vgs（最大值）： | ±20V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： | 1970 pF @ 20 V |
| 功率耗散（最大值）： | 3.1W（Ta），44W（Tc） |
| 工作温度： | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型： | 表面贴装型 |
| 封装/外壳： | TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 |
该NCharnel MOSFET采用FairchildSemicandudlor专有的PowverTrenchet技术生产，以提供低rpslon）和优化的BVoss能力，从而在应用中提供卓越的性能优势。
尖货爆款
海量现货 种类齐全
快速报价 闪电出库
原厂渠道 原装正品
优势价格 节省成本
专属客服 FAE支持
