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SST25LF020A-33-4C-SAE-T存储器集成电路(IC)-型号参数

技术参数品牌:Microchip/微芯型号:SST25LF020A-33-4C-SAE-T封装:SOIC批号:22+23+数量:3296700制造商:Microchip产品种类:NOR闪存RoHS:是安装风格:SMD/SMT封装 / 箱体:SOIC-8系列:SST25LF存储容量:2 Mbit最大时钟频率:33 MHz接口类型:SPI定时类型:Synchronous数据总线宽度:8 bit电源电压-最小:3 V电源电压-最大:3.6 V电源电流—最大值:10 mA最小工作温度:0 C最大工作温度:+ 70 C存储类型:NOR速度:33 MHz结构:Sector湿度敏感性:Yes单位重量:540 mg...

SST25LF020A-33-4C-SAE-T.png

技术参数

品牌:Microchip/微芯
型号:SST25LF020A-33-4C-SAE-T
封装:SOIC
批号:22+23+
数量:3296700
制造商:Microchip
产品种类:NOR闪存
RoHS:
安装风格:SMD/SMT
封装 / 箱体:SOIC-8
系列:SST25LF
存储容量:2 Mbit
最大时钟频率:33 MHz
接口类型:SPI
定时类型:Synchronous
数据总线宽度:8 bit
电源电压-最小:3 V
电源电压-最大:3.6 V
电源电流—最大值:10 mA
最小工作温度:0 C
最大工作温度:+ 70 C
存储类型:NOR
速度:33 MHz
结构:Sector
湿度敏感性:Yes
单位重量:540 mg
SST的串行闪存系列具有四线SPI兼容接口,可实现占用较少板空间的低封装,并最终降低总系统成本。SST25LF020A SPI串行闪存采用SST专有的高性能CMOS SuperFlash技术制造。与替代方法相比,分裂栅单元设计和厚氧化物隧道注入器获得了更好的可靠性和可制造性。SST25LF020A设备显著提高了性能,同时降低了功耗。消耗的总能量是施加的电压、电流和施加时间的函数。由于对于任何给定的电压范围,SuperFlash技术使用更少的电流进行编程,并且具有更短的擦除时间,因此在任何擦除或编程操作期间消耗的总能量都小于替代闪存技术。SST25LF020A设备使用单个3.0-3.6V电源运行。SST25LF020A器件采用8引脚SOIC 150密耳体宽(SA)封装和8触点WSON封装。