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NVMFS6H800NT1G分立半导体产品晶体管-技术资料

技术参数品牌:ON(安森美)型号:NVMFS6H800NT1G封装:SO-8批号:23+数量:200000制造商:ON Semiconductor产品种类:MOSFETRoHS:是安装风格:SMD/SMT封装 / 箱体:SO-8FL通道数量:1 Channel晶体管极性:N-ChannelVds-漏源极击穿电压:80 VId-连续漏极电流:203 ARds On-漏源导通电阻:2.1 mOhmsVgs - 栅极-源极电压:20 VVgs th-栅源极阈值电压:2 VQg-栅极电荷:85 nC最小工作温度:- 55 C最大工作温度:+ 175 CPd-功率耗散:200 W配置:Single通道模式:Enhancement资格:AEC-Q101正向跨导 - 最小值:138 S下降时间:85 ns上升时间:89 ns典型关闭延迟时间:97 ns典型接通延迟时间:25 ns单位重量:190 mg...

NVMFS6H800NT1G.png

技术参数

品牌:ON(安森美)
型号:NVMFS6H800NT1G
封装:SO-8
批号:23+
数量:200000
制造商:ON Semiconductor
产品种类:MOSFET
RoHS:
安装风格:SMD/SMT
封装 / 箱体:SO-8FL
通道数量:1 Channel
晶体管极性:N-Channel
Vds-漏源极击穿电压:80 V
Id-连续漏极电流:203 A
Rds On-漏源导通电阻:2.1 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压:20 V
Vgs th-栅源极阈值电压:2 V
Qg-栅极电荷:85 nC
最小工作温度:- 55 C
最大工作温度:+ 175 C
Pd-功率耗散:200 W
配置:Single
通道模式:Enhancement
资格:AEC-Q101
正向跨导 - 最小值:138 S
下降时间:85 ns
上升时间:89 ns
典型关闭延迟时间:97 ns
典型接通延迟时间:25 ns
单位重量:190 mg

特点

•占地面积小(5x6 mm),设计紧凑

•低RDS(开启)以最大限度地减少传导损耗

•低QG和电容,最大限度地减少驱动器损耗

•NVMFS6H800NWF−可湿性侧翼选项,用于增强型光学视察

•AEC−Q101合格且具备PPAP能力

•这些设备不含铅,符合RoHS标准