尖货爆款
技术参数
| 品牌： | Microchip(微芯) |
| 型号： | LND150K1-G |
| 批号： | 23+ |
| 数量： | 5000 |
| 类别： | 分立半导体产品 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 |
| 制造商： | Microchip Technology |
| FET 类型： | N 通道 |
| 漏源电压（Vdss）： | 500 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： | 13mA（Tj） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： | 0V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： | 1000 欧姆 @ 500µA，0V |
| Vgs（最大值）： | ±20V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： | 10 pF @ 25 V |
| FET 功能： | 耗尽模式 |
| 功率耗散（最大值）： | 360mW（Ta） |
| 工作温度： | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型： | 表面贴装型 |
| 封装/外壳： | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
概述LND150是一种利用Supertex横向DMOS技术的高压N沟道耗尽型（常开）晶体管。该门具有ESD保护功能。LND150是常开开关、精密恒流源、电压斜坡生成和放大领域的高压应用的理想选择。
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