技术参数
品牌: | ST |
型号: | ST10F276Z5T3 |
封装: | LQFP144 |
批号: | 23+ |
数量: | 10000 |
类别: | 集成电路(IC) 嵌入式 - 微控制器 |
制造商: | STMicroelectronics |
系列: | ST10 |
核心处理器: | ST10 |
内核规格: | 16 位 |
速度: | 40MHz |
连接能力: | ASC,CANbus,EBI/EMI,I²C,SSC,UART/USART |
外设: | POR,PWM,WDT |
I/O 数: | 111 |
程序存储容量: | 832KB(832K x 8) |
程序存储器类型: | 闪存 |
RAM 大小: | 68K x 8 |
电压 - 供电 (Vcc/Vdd): | 4.5V ~ 5.5V |
数据转换器: | A/D 24x10b |
振荡器类型: | 内部 |
工作温度: | -40°C ~ 125°C(TA) |
安装类型: | 表面贴装型 |
封装/外壳: | 144-LQFP |
ST10F276Z5是STMicroelectronics ST10系列16位单芯片的衍生产品CMOS微控制器。它结合了高CPU性能(多达3200万条指令每秒),具有高外围功能和增强的I/O能力。它还提供片上高速单电压闪存、片上高速RAM和时钟通过PLL生成。ST10F276Z5采用0.18µm CMOS技术进行处理。MCU核心和逻辑被提供有5到1.8V的片上电压调节器。该部件提供单个5V电源和I/O在5V下工作。
该设备与ST10F269设备向上兼容,具有以下一组差异:
•闪存控制接口现在基于STMicroelectronics第三代独立闪存(M29F400系列),带有嵌入式程序/擦除控制器。这在编程或擦除Flash期间完全释放了CPU。
•QFP144封装上只有一个电源引脚(ST10F269中的DC1除外,重命名为V18)用于将内部产生的1.8V核心逻辑电源去耦。不连接该引脚连接到5.0 V外部电源。相反,此引脚应连接到去耦电容器(陶瓷型,典型值10nF,最大值100nF)。
•由于最大CPU的差异,AC和DC参数被修改频率
•一个新的VDD引脚取代ST10F269的DC2.
•EA引脚采用新的替代功能:它还用于提供专用当设备的主电源(VDD)以及内部产生的V18)在低功率模式下被关闭以允许数据保留。VSTBY电压应在范围为4.5-5.5伏,并且有一个专用的嵌入式低功率电压调节器充电以提供1.8V的RAM,32kHz的低电压部分振荡器和实时时钟模块。允许超过在设备的全局寿命期间,在非常短的时间内上限高达6V,并且当RTC和32kHz片上振荡器不工作时,超过下限低至4V习惯于
•添加了XBUS上映射的第二个SSC(ST10F269的SSC变为此处而新的一个被称为XSSC或简称为SSC1)。请注意,有些由于XBUS的特殊性,存在限制和功能差异介于经典SSC和新XSSC之间。
•添加了XBUS上映射的第二个ASC(ST10F269的ASC0保持为ASC0.而新的一个被称为XASC或简称为ASC1)。请注意,有些限制并且由于XBUS特性导致的功能差异存在于经典ASC和新的XASC。
•添加XBUS上映射的第二个PWM(ST10F269的PWM变为此处而新的一个被称为XPWM或简称为PWM1)。