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STL105N4LF7HT金属氧化物半导体场效应管(MOSFET)

STL105N4LF7HT是一款由STMicroelectronics生产的N沟道金属氧化物半导体场效应管(MOSFET)产品代码。它是一款用于高电压、低电阻应用的功率MOSFET,可用于直流至高频的应用。以下是STL105N4LF7HT的一些规格参数:最大漏极电压:40伏最大漏极电流:120安培低漏电流:10微安(典型值)低阻抗:5.5毫欧姆(典型值)开关时间:27纳秒(典型值)工作温度范围:-...

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STL105N4LF7HT是一款由STMicroelectronics生产的N沟道金属氧化物半导体场效应管(MOSFET)产品代码。它是一款用于高电压、低电阻应用的功率MOSFET,可用于直流至高频的应用。

以下是STL105N4LF7HT的一些规格参数:

最大漏极电压:40伏
最大漏极电流:120安培
低漏电流:10微安(典型值)
低阻抗:5.5毫欧姆(典型值)
开关时间:27纳秒(典型值)
工作温度范围:-55°C至+175°C
封装:TO-247
STL105N4LF7HT主要用于高电压、低电阻的功率开关应用,比如电源管理、电机控制、照明、音频功放等领域。它具有低漏电流、低阻抗和快速开关的特点,能够提高系统效率、降低功耗和减小尺寸。同时,STL105N4LF7HT的TO-247封装也使得它适合于高功率、高温度、高电压的电路设计。