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SSRD8620CTT4RG双向场效应晶体管(FET)规格参数

SSRD8620CTT4RG是一款由Vishay Semiconductors生产的双向场效应晶体管(FET)产品代码。它是一款用于高速开关应用的功率FET,可用于直流至高频的应用。以下是SSRD8620CTT4RG的一些规格参数:工作电压:20伏最大漏极电流:3.6安培最大源极电流:2.2安培低漏电流:1微安(典型值)开关时间:6纳秒(典型值)工作温度范围:-55C至+150C封装:SOT-22...

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SSRD8620CTT4RG是一款由Vishay Semiconductors生产的双向场效应晶体管(FET)产品代码。它是一款用于高速开关应用的功率FET,可用于直流至高频的应用。

以下是SSRD8620CTT4RG的一些规格参数:

工作电压:20伏
最大漏极电流:3.6安培
最大源极电流:2.2安培
低漏电流:1微安(典型值)
开关时间:6纳秒(典型值)
工作温度范围:-55°C至+150°C
封装:SOT-223
SSRD8620CTT4RG主要用于高速开关应用,比如电源开关、直流-直流转换器、半桥/全桥拓扑、无线电发射器等领域。它具有低漏电流、快速开关和高电压容忍能力的特点,能够提高系统效率、降低功耗和减小尺寸。同时,SSRD8620CTT4RG的SOT-223封装也使得它适合于高密度、小尺寸的电路设计。