技术参数
品牌: | ST/意法半导体 |
型号: | VNI2140J |
数量: | 5420 |
制造商: | STMicroelectronics |
产品种类: | 门驱动器 |
RoHS: | 是 |
安装风格: | SMD/SMT |
封装 / 箱体: | PowerSSO-12 |
激励器数量: | 2 Driver |
输出端数量: | 2 Output |
输出电流: | 1 A |
电源电压-最小: | 9 V |
电源电压-最大: | 45 V |
配置: | Dual |
上升时间: | 10 us |
下降时间: | 8 us |
最大工作温度: | + 125 C |
系列: | VNI2140J |
输出电压: | 45 V |
逻辑类型: | CMOS, TTL |
最大关闭延迟时间: | 30 us |
最大开启延迟时间: | 20 us |
湿度敏感性: | Yes |
工作电源电流: | 4 mA |
工作电源电压: | 9 V to 45 V |
单位重量: | 20 g |
描述
VNI2140J是一种单片器件使用意法半导体的VIPower技术。该设备驱动两个独立的电阻或一侧连接的电感负载地有源电流限制可防止压降在负载短路的情况下的系统电源中,内置热关机保护芯片避免因过热和短路而损坏-环行在过载条件下,通道关闭并自动打开以保持连接TTSD和TR之间的温度。如果情况温度达到TCSD,过载通道关闭,仅当壳体温度下降到TCR。在里面为了避免来自电源的高峰值电流,当多个通道过载时TCSD重新启动不是同时进行的。不超载信道继续运行正常地开式排放诊断输出指示超温条件并打开-负载处于断开状态