尖货爆款
技术参数
| 品牌： | INFINEON |
| 型号： | BSS139 H6327 |
| 封装： | - |
| 批号： | 22+ |
| 数量： | 12000 |
| 制造商： | Infineon |
| 产品种类： | MOSFET |
| RoHS： | 是 |
| 技术： | Si |
| 安装风格： | SMD/SMT |
| 封装 / 箱体： | SOT-23-3 |
| 通道数量： | 1 Channel |
| 晶体管极性： | N-Channel |
| Vds-漏源极击穿电压： | 250 V |
| Id-连续漏极电流： | 100 mA |
| Rds On-漏源导通电阻： | 14 Ohms |
| Vgs - 栅极-源极电压： | 10 V |
| Vgs th-栅源极阈值电压： | 2.1 V |
| Qg-栅极电荷： | 2.3 nC |
| 最小工作温度： | - 55 C |
| 最大工作温度： | + 150 C |
| Pd-功率耗散： | 360 mW |
| 配置： | Single |
| 通道模式： | Depletion |
| 资格： | AEC-Q101 |
| 高度： | 1.1 mm |
| 长度： | 2.9 mm |
| 产品： | MOSFET Small Signal |
| 晶体管类型： | 1 N-Channel |
| 宽度： | 1.3 mm |
| 商标： | Infineon Technologies |
| 正向跨导 - 最小值： | 0.06 S |
| 下降时间： | 182 ns |
| 产品类型： | MOSFET |
| 上升时间： | 5.4 ns |
| 工厂包装数量： | 3000 |
| 子类别： | MOSFETs |
| 典型关闭延迟时间： | 29 ns |
| 典型接通延迟时间： | 5.8 ns |
| 零件号别名： | BSS139H6327XTSA1 SP000702610 BSS139H6327XT BSS139H6327XTSA1 |
| 单位重量： | 8 mg |
特点
- N通道
- 消耗模式
- dv/dt额定值
- 卷轴上有Veth)指示器
- 无铅电镀;符合RoHS
- 无卤素，符合lEC61249-2-21
- 符合AEC Q101
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