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IRL100HS121分立半导体产品 晶体管参数资料

技术参数品牌:Infineon(英飞凌)型号:IRL100HS121封装:NA批号:23+数量:5000制造商:Infineon产品种类:MOSFETRoHS:是安装风格:SMD/SMT封装 / 箱体:PQFN-6晶体管极性:N-Channel通道数量:1 ChannelVds-漏源极击穿电压:100 VId-连续漏极电流:5.1 ARds On-漏源导通电阻:34 mOhmsVgs - 栅极-源...

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技术参数

品牌:Infineon(英飞凌)
型号:IRL100HS121
封装:NA
批号:23+
数量:5000
制造商:Infineon
产品种类:MOSFET
RoHS:
安装风格:SMD/SMT
封装 / 箱体:PQFN-6
晶体管极性:N-Channel
通道数量:1 Channel
Vds-漏源极击穿电压:100 V
Id-连续漏极电流:5.1 A
Rds On-漏源导通电阻:34 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压:10 V
Vgs th-栅源极阈值电压:1.1 V
Qg-栅极电荷:3.7 nC
最小工作温度:- 55 C
最大工作温度:+ 175 C
Pd-功率耗散:11.5 W
通道模式:Enhancement
配置:Single
晶体管类型:1 N-Channel
正向跨导 - 最小值:15 S
下降时间:10.7 ns
上升时间:21 ns
典型关闭延迟时间:8.7 ns
典型接通延迟时间:7.6 ns
零件号别名:IRL100HS121 SP001592836
单位重量:97.700 mg

好处
更高的功率密度设计
开关频率更高
使用OptiMOS TM 5芯片
减少5V时的零件数量有供应

直接由微控制器驱动
(切换缓慢)
系统成本降低