技术参数
品牌: | Infineon(英飞凌) |
型号: | IRL100HS121 |
封装: | NA |
批号: | 23+ |
数量: | 5000 |
制造商: | Infineon |
产品种类: | MOSFET |
RoHS: | 是 |
安装风格: | SMD/SMT |
封装 / 箱体: | PQFN-6 |
晶体管极性: | N-Channel |
通道数量: | 1 Channel |
Vds-漏源极击穿电压: | 100 V |
Id-连续漏极电流: | 5.1 A |
Rds On-漏源导通电阻: | 34 mOhms |
Vgs - 栅极-源极电压: | 10 V |
Vgs th-栅源极阈值电压: | 1.1 V |
Qg-栅极电荷: | 3.7 nC |
最小工作温度: | - 55 C |
最大工作温度: | + 175 C |
Pd-功率耗散: | 11.5 W |
通道模式: | Enhancement |
配置: | Single |
晶体管类型: | 1 N-Channel |
正向跨导 - 最小值: | 15 S |
下降时间: | 10.7 ns |
上升时间: | 21 ns |
典型关闭延迟时间: | 8.7 ns |
典型接通延迟时间: | 7.6 ns |
零件号别名: | IRL100HS121 SP001592836 |
单位重量: | 97.700 mg |
好处
更高的功率密度设计
开关频率更高
使用OptiMOS TM 5芯片
减少5V时的零件数量有供应
直接由微控制器驱动
(切换缓慢)
系统成本降低