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SST25VF080B-50-4I-S2AF-T集成电路(IC) 存储器参数资料

技术参数品牌:MICROCHIP型号:SST25VF080B-50-4I-S2AF-T封装:N/A批号:22+数量:8000制造商:Microchip产品种类:NOR闪存RoHS:是安装风格:SMD/SMT封装 / 箱体:SOIJ-8系列:SST25VF存储容量:8 Mbit最大时钟频率:50 MHz接口类型:SPI定时类型:Synchronous数据总线宽度:8 bit电源电压-最小:2.7 V...

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技术参数

品牌:MICROCHIP
型号:SST25VF080B-50-4I-S2AF-T
封装:N/A
批号:22+
数量:8000
制造商:Microchip
产品种类:NOR闪存
RoHS:
安装风格:SMD/SMT
封装 / 箱体:SOIJ-8
系列:SST25VF
存储容量:8 Mbit
最大时钟频率:50 MHz
接口类型:SPI
定时类型:Synchronous
数据总线宽度:8 bit
电源电压-最小:2.7 V
电源电压-最大:3.6 V
电源电流—最大值:15 mA
最小工作温度:- 40 C
最大工作温度:+ 85 C
存储类型:Serial Flash
速度:50 MHz
结构:Sector
湿度敏感性:Yes
单位重量:540 mg

25系列串行闪存系列具有四线,SPI兼容接口,允许低引脚数占用较少板空间和多用途的封装-极大地降低了系统的总成本。SST25VF080B设备通过改进的工作频率得到增强-淬火和更低的功耗。不锈钢25vf080bSPI串行闪存采用专业技术制造-专用高性能CMOS SuperFlash®技术-nology。分离栅单元设计和厚氧化物隧道注入器具有更好的可靠性和制造能力-与替代方法相比的饱和性。SST25VF080B设备每-性能和可靠性,同时降低功耗-消耗。设备使用写入(编程或擦除)SST25VF080B的2.7V-3.6V单电源。消耗的总能量是应用电压、电流和施加时间。由于任何在给定的电压范围内,SuperFlash技术使用更少的编程电流并且具有更短的擦除时间,在任何擦除或pro过程中消耗的总能量-gram操作比替代闪存少技术。