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IPD50P04P4-13q汽车芯片功率器件原装规格参数

特征描述P 通道 - 正常电平 - 增强模式AEC 认证MSL1 峰值回流温度高达 260C175C 的工作温度环保封装(符合 RoHS)100% 经过雪崩测试优势高边驱动无需电荷泵。简单的接口驱动电路40V 时, RDSon 为世界极低值极高的冲击电流能力极低的开关功耗和传导功率损耗,造就极高的热效率稳固的封装,出色的品质,高可靠性标准封装 TO-252、TO-263、TO-220、TO-262...

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特征描述

  • P 通道 - 正常电平 - 增强模式
  • AEC 认证
  • MSL1 峰值回流温度高达 260°C
  • 175°C 的工作温度
  • 环保封装(符合 RoHS)
  • 100% 经过雪崩测试

优势

  • 高边驱动无需电荷泵。
  • 简单的接口驱动电路
  • 40V 时, RDSon 为世界极低值
  • 极高的冲击电流能力
  • 极低的开关功耗和传导功率损耗,造就极高的热效率
  • 稳固的封装,出色的品质,高可靠性
  • 标准封装 TO-252、TO-263、TO-220、TO-262

潜在应用

  • 用于电机桥的高边 MOSFET(半桥、H 桥、三相电机)
  • 采用40V P 通道作为高边器件,无需电荷泵即可实现桥配置
  • 仿真/SPICE 型号